集微网消息，日前，光迅科技高端光电子器件产业基地建设项目一期厂房全面封顶。

　　长江网报道，该项目位于武汉东湖综保区，一期总建筑面积约15.8万平方米，主要包含办公楼、洁净厂房、研发中心、自动化库房、动力中心及其他辅助用房等10栋单体。目前，项目主要建筑均已实现结构封顶，主厂房砌体施工已完成90%，首层洁净区环氧喷涂及墙板完成40%，即将开始二层洁净工艺施工，预计明年上半年建成投产。

　　该项目建成投产后，将用于开展高速器件与模块的中试工艺验证与智能制造，研发生产面向5G、F5G、6G、AI数据中心应用的高速光电子器件以及光收发模块产品。预计产值可达100亿元，推动武汉市光电芯片产业和高新技术发展。

　　光迅科技官网称，其源于1976年成立的邮电部固体器件研究所，2009年登陆深圳证券交易所，成为国内首家上市的通信光电子器件公司，专门从事光电芯片、器件、模块及子系统产品研发、生产、销售及技术服务。（校对/姜羽桐）

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